三星电子预计明年HBM4和HBM4E产能将翻倍，高带宽存储器先进封装产能持续加码。存储先进封装的大规模扩产，让银胶脱泡机等封装材料处理设备的需求关注度明显上升。

AI加速卡对高带宽存储需求快速增长，HBM4进入量产导入窗口期，三大存储原厂同步扩产。与常规封装相比，HBM封装涉及TSV、底填胶、多层堆叠等先进工艺，芯片堆叠层数多、结构更复杂，对封装材料的一致性与可靠性要求大幅提升。

HBM封装中使用的底填胶、银胶等材料固含量高、粘度大，材料中的气泡若残留，会在热循环过程中扩展为空洞，直接影响堆叠芯片的互连可靠性。多层堆叠结构一旦出现层间失效，修复成本极高，材料脱泡环节因此成为HBM封装工艺中不可省略的一步。施诺斯的银胶脱泡机采用公转自转行星式运动与真空环境相结合的方式，物料在容器内同时获得公转离心与自转剪切，配合真空负压促进气泡排出，适合银胶、底填胶等高粘度封装材料的混合与脱泡处理，覆盖实验室配方验证到产线中试的多个阶段，帮助封装企业稳定材料批次一致性。

从产业节奏看，HBM产能翻倍意味着先进封装产线的资本开支同步放大。存储原厂与封测企业都在扩充2.5D、3D封装能力，封装材料供应商的配套需求随产线调试与量产爬坡逐步释放，材料脱泡设备的验证窗口也集中在这一阶段。

HBM产能扩张正在提速，封装材料处理环节的重要性持续上升。随着三星等存储原厂产能翻倍计划推进，底填胶、银胶等高粘度材料的脱泡需求将进一步增长，具备行星式真空脱泡能力的设备厂商，将在存储先进封装升级中获得更多机会。